第一一一六章 不同意

gca当时投入研发euv技术项目的3000万美元经费,可以收购asml40%的股权,不是一笔小数目!

gca当时账上的现金流只剩下300多万美元,公司要花钱的地方多的是。

孙健前世在互联网上看过不少有关asml euv光刻机的文章,作者纷纷感叹研发和生产euv光刻机之难难于上青天,被称为外星人的科技水准,是迄今为止人类科技领域所能达到的最尖端技术,没有之一。

为了打破封锁,投入巨资,举国之力也没有看见成果。

前世90年代末,干式193nm波长光刻机遇到了65nm制程工艺的极限,再往下就寸步难行,如何跨入40nm制程工艺?成为阻挡所有光刻机等半导体厂商的世界性难题,科学家和产业界提出了各种超越193nm波长的方案,其中包括157nm f2激光,电子束投射(epl),离子投射(ipl)、euv(13.5nm)和x光等。

相对而言,157nm f2激光的技术难度稍低,不少公司开始下注157nm f2激光,其中尼康和svg在这个技术路线走的最远,是最接近商业化量产的两家公司。

几年后,asml收购了svg,也拥有了157nmf2激光技术,又砸下数亿美元进行研发,此外asml也还尝试开发euv光刻机。

财大气粗的英特尔一开始就倾向于激进的euv(13.5nm)方案,希望彻底解决光刻机的波长世界性难题,集中全球顶尖科技精英一起愚公移山,他们说服对高科技开明的克林顿内阁,发起成立了euv llc(euv有限责任公司)。

euv llc由英特尔和美国能源部牵头,集中了当时如日中天的摩托罗拉、ibm和amd,以及享有盛誉的美国三大国家实验室:劳伦斯利弗莫尔实验室、劳伦斯伯克利实验室和桑迪亚国家实验室,集中数百位世界顶尖科学家,投资2亿美元研发经费,从理论上验证 euv可能存在的技术问题。

英特尔当时打算邀请光刻机行业第一、第二位的nikon和asml加入euv llc,但美国政府担心最前沿的光刻机技术落入外国公司手中,反对nikon和asml加入。

asml为了表现诚意,同意在美国建立一所工厂和一个研发中心,以此满足所有美国本土的产能需求,另外,还保证55%的零部件均从美国供应商处采购,并接受定期审查,做出多项让步后,最后成功加入euv llc,能够享受其基础研究成果,nikon却没有机会加入,失去了同asml竞争的机会。

几年之后,终于论证了euv的可行性,于是euv llc的使命完成,公司解散,各个成员踏上独自研发之路。